Hersteller Produktnummer:
IRFS7762PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFS7762PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 75 V 85A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-263AB (D2PAK)
Inventar:
12806042
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IRFS7762PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
75 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 51A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.7V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4440 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
140W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263AB (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
INFINFIRFS7762PBF
SP001576158
2156-IRFS7762PBF-IT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
HUF75345S3ST
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
16
TEILNUMMER
HUF75345S3ST-DG
Einheitspreis
3.07
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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