Hersteller Produktnummer:
IRFS4115PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFS4115PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12813580
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Menge
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IRFS4115PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12.1mOhm @ 62A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5270 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
64-2135PBF
64-2135PBF-DG
SP001565010
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDB2532
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
3812
TEILNUMMER
FDB2532-DG
Einheitspreis
1.94
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IPB50N10S3L16ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IPB50N10S3L16ATMA1-DG
Einheitspreis
0.91
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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