Hersteller Produktnummer:
IRFR120NTRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFR120NTRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 9.4A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventar:
27902 Stück Neu Original Auf Lager
12803076
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IRFR120NTRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
330 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
48W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA (DPAK)
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IRFR120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Design-Ressourcen
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
IRFR120NTRPBF-DG
IRFR120NPBFCT
SP001566944
IRFR120NPBFDKR
2156-IRFR120NTRPBFTR
IRFR120NPBFTR
*IRFR120NTRPBF
IRFR120NTRPBFTR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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