Hersteller Produktnummer:
IRFP4468PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFP4468PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 195A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventar:
317 Stück Neu Original Auf Lager
12806454
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IRFP4468PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 180A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
540 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
19860 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
520W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247AC
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IRFP4468
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Andere Namen
2156-IRFP4468PBF
SP001554960
IFEINFIRFP4468PBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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