Hersteller Produktnummer:
IRFIZ24E
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFIZ24E-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 14A TO220AB FP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 14A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventar:
12805624
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Menge
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IRFIZ24E Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
71mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
370 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
29W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-FP
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PHP20N06T,127
HERSTELLER
NXP Semiconductors
VERFÜGBARE ANZAHL
8865
TEILNUMMER
PHP20N06T,127-DG
Einheitspreis
0.53
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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