IRFI9530N
Hersteller Produktnummer:

IRFI9530N

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IRFI9530N-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220AB FP
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 100 V 7.7A (Ta) Through Hole TO-220AB Full-Pak

Inventar:

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IRFI9530N Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.7A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 4.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
860 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB Full-Pak
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IRFI9530N
HTML-Datenblatt
IRFI9530N-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IRFI9530GPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
3746
TEILNUMMER
IRFI9530GPBF-DG
Einheitspreis
0.87
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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