Hersteller Produktnummer:
IRFI4227PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFI4227PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 26A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Inventar:
6294 Stück Neu Original Auf Lager
12805157
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IRFI4227PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4600 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
46W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB Full-Pak
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
IRFI4227
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
SP001564096
448-IRFI4227PBF
IRFI4227PBF-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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