Hersteller Produktnummer:
IRFI2807
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFI2807-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 75V 40A TO220AB FP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 75 V 40A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Inventar:
13064137
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Menge
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IRFI2807 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Verpackung
Tube
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
75 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 43A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3400 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
48W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB Full-Pak
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
*IRFI2807
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK8R2A06PL,S4X
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
TK8R2A06PL,S4X-DG
Einheitspreis
0.34
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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