Hersteller Produktnummer:
IRFHS8342TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFHS8342TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Inventar:
11868 Stück Neu Original Auf Lager
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IRFHS8342TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.8A (Ta), 19A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
600 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Paket / Koffer
6-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
IRFHS8342
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
SP001556608
IRFHS8342TRPBFTR
IRFHS8342TRPBFDKR
IRFHS8342TRPBFCT
IRFHS8342TRPBF-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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