Hersteller Produktnummer:
IRFHM8363TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFHM8363TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 11A 2.7W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Inventar:
10516 Stück Neu Original Auf Lager
12805296
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IRFHM8363TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Not For New Designs
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1165pF @ 10V
Leistung - Max
2.7W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Gerätepaket für Lieferanten
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Basis-Produktnummer
IRFHM8363
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
448-IRFHM8363TRPBFCT
IRFHM8363TRPBF-DG
SP001565948
448-IRFHM8363TRPBFDKR
448-IRFHM8363TRPBFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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