Hersteller Produktnummer:
IRFHM8363TR2PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFHM8363TR2PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 11A 2.7W Surface Mount 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Inventar:
12806532
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IRFHM8363TR2PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1165pF @ 10V
Leistung - Max
2.7W
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Gerätepaket für Lieferanten
8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Basis-Produktnummer
IRFHM8363
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
400
Andere Namen
IRFHM8363TR2PBFTR
IRFHM8363TR2PBFDKR
SP001564106
IRFHM8363TR2PBFCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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