Hersteller Produktnummer:
IRFH8202TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFH8202TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 47A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventar:
12804384
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IRFH8202TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
HEXFET®, StrongIRFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
47A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.05mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.35V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7174 pF @ 13 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.6W (Ta), 160W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
IRFH8202
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
IRFH8202TRPBFCT
IRFH8202TRPBF-DG
SP001572718
IRFH8202TRPBFTR
2156-IRFH8202TRPBF-448
IRFH8202TRPBFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSC010NE2LSATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
19280
TEILNUMMER
BSC010NE2LSATMA1-DG
Einheitspreis
0.65
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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