Hersteller Produktnummer:
IRFH8201TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFH8201TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventar:
14568 Stück Neu Original Auf Lager
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IRFH8201TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®, StrongIRFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
49A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
0.95mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.35V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
111 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7330 pF @ 13 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
IRFH8201
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
IRFH8201TRPBFCT
IRFH8201TRPBFDKR
2156-IRFH8201TRPBFTR
IRFH8201TRPBFTR
IRFH8201TRPBF-DG
SP001577876
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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