Hersteller Produktnummer:
IRFH6200TR2PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFH6200TR2PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 49A (Ta), 100A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventar:
12805811
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Menge
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IRFH6200TR2PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
49A (Ta), 100A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
0.95mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.1V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 4.5 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10890 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
400
Andere Namen
IRFH6200TR2PBFTR
IRFH6200TR2PBFDKR
IRFH6200TR2PBFCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SIR404DP-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
28137
TEILNUMMER
SIR404DP-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.74
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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