Hersteller Produktnummer:
IRFH3707TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFH3707TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 29A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3x3)
Inventar:
7498 Stück Neu Original Auf Lager
12804592
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IRFH3707TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Ta), 29A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12.4mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
755 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PQFN (3x3)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
IRFH3707
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
IRFH3707TRPBFCT
SP001551876
IRFH3707TRPBF-DG
IRFH3707TRPBFDKR
IRFH3707TRPBFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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