Hersteller Produktnummer:
IRFBA90N20DPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFBA90N20DPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 98A (Tc) 650W (Tc) Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
Inventar:
12805085
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IRFBA90N20DPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
98A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 59A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6080 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
650W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
SUPER-220™ (TO-273AA)
Paket / Koffer
TO-273AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP001551776
*IRFBA90N20DPBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STW75NF20
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
STW75NF20-DG
Einheitspreis
2.14
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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