Hersteller Produktnummer:
IRFB3006PBFXKMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFB3006PBFXKMA1-DG
Beschreibung:
TRENCH 40<-<100V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
13269278
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRFB3006PBFXKMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 170A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8970 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP005732685
448-IRFB3006PBFXKMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFB3006PBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
3175
TEILNUMMER
IRFB3006PBF-DG
Einheitspreis
1.82
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IMZA75R016M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET
IPP70N10S3L12AKSA2
MOSFET_(75V 120V(
IMZA65R050M2HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET