Hersteller Produktnummer:
IRFB11N50APBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFB11N50APBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12806089
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IRFB11N50APBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
520mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1423 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
170W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
448-IRFB11N50APBF
SP001563792
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFB11N50APBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
2122
TEILNUMMER
IRFB11N50APBF-DG
Einheitspreis
0.98
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
IRFB11N50APBF-BE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
2600
TEILNUMMER
IRFB11N50APBF-BE3-DG
Einheitspreis
1.00
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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