Hersteller Produktnummer:
IRF9952PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF9952PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Inventar:
12803090
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Menge
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IRF9952PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.5A, 2.3A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
190pF @ 15V
Leistung - Max
2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Basis-Produktnummer
IRF995
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
95
Andere Namen
SP001566518
2156-IRF9952PBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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