Hersteller Produktnummer:
IRF9910
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF9910-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO
Inventar:
12803538
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Menge
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IRF9910 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A, 12A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.55V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
900pF @ 10V
Leistung - Max
2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Basis-Produktnummer
IRF99
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
95
Andere Namen
*IRF9910
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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