Hersteller Produktnummer:
IRF8513PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF8513PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 8A, 11A 1.5W, 2.4W Surface Mount 8-SO
Inventar:
12802909
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IRF8513PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A, 11A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15.5mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
766pF @ 15V
Leistung - Max
1.5W, 2.4W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Basis-Produktnummer
IRF8513
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
95
Andere Namen
SP001555762
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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