Hersteller Produktnummer:
IRF8113GTRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF8113GTRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
12808446
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IRF8113GTRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 17.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2910 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
IRF8113GTRPBFTR
SP001575462
IRF8113GTRPBFCT
IRF8113GTRPBFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SI4634DY-T1-E3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
4811
TEILNUMMER
SI4634DY-T1-E3-DG
Einheitspreis
0.65
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
FDS8870
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
2621
TEILNUMMER
FDS8870-DG
Einheitspreis
0.66
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IRF8113TRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1665
TEILNUMMER
IRF8113TRPBF-DG
Einheitspreis
0.27
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
SI4634DY-T1-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
SI4634DY-T1-GE3-DG
Einheitspreis
0.67
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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