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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IRF7907TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF7907TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 9.1A, 11A 2W Surface Mount 8-SO
Inventar:
9522 Stück Neu Original Auf Lager
12816853
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IRF7907TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.1A, 11A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16.4mOhm @ 9.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
850pF @ 15V
Leistung - Max
2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Basis-Produktnummer
IRF7907
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IRF7907TRPBF
HTML-Datenblatt
IRF7907TRPBF-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
IRF7907TRPBF-DG
SP001566462
IRF7907TRPBFTR
IRF7907TRPBFCT
IRF7907TRPBFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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