Hersteller Produktnummer:
IRF7799L2TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF7799L2TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 35A (Tc) 4.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Inventar:
13064129
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IRF7799L2TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
38mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6714 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
4.3W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DirectFET™ Isometric L8
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric L8
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
IRF7799L2TRPBF-ND
IRF7799L2TRPBFCT
IRF7799L2TRPBFTR
SP001551508
IRF7799L2TRPBFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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