IRF7757TR
Hersteller Produktnummer:

IRF7757TR

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IRF7757TR-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 4.8A 1.2W Surface Mount 8-TSSOP

Inventar:

12805524
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IRF7757TR Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 4.8A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1340pF @ 15V
Leistung - Max
1.2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSSOP
Basis-Produktnummer
IRF7757

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
4,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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