IRF7726
Hersteller Produktnummer:

IRF7726

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IRF7726-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 7A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount Micro8™

Inventar:

12804624
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

IRF7726 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2204 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.79W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
Micro8™
Paket / Koffer
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
80
Andere Namen
*IRF7726

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
infineon-technologies

IPB100N08S207ATMA1

MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

infineon-technologies

IPI139N08N3GHKSA1

MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3

infineon-technologies

IRF7811A

MOSFET N-CH 28V 11A 8SO

infineon-technologies

IRFH7004TRPBF

MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN