Hersteller Produktnummer:
IRF7701TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF7701TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOP
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 12 V 10A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Inventar:
12803174
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IRF7701TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5050 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-TSSOP
Paket / Koffer
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
IRF7701TRPBFDKR
IRF7701TRPBFTR
IRF7701TRPBF-DG
IRF7701TRPBFCT
SP001559976
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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