Hersteller Produktnummer:
IRF7665S2TR1PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF7665S2TR1PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 4.1A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 2.4W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount DIRECTFET SB
Inventar:
12806379
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IRF7665S2TR1PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
62mOhm @ 8.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
515 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.4W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DIRECTFET SB
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric SB
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP001577506
IRF7665S2TR1PBFDKR
IRF7665S2TR1PBFCT
IRF7665S2TR1PBFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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