Hersteller Produktnummer:
IRF7526D1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF7526D1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro8™
Inventar:
12804009
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Menge
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IRF7526D1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
FETKY™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
180 pF @ 25 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
1.25W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
Micro8™
Paket / Koffer
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
95
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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