Hersteller Produktnummer:
IRF7523D1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF7523D1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 2.7A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro8™
Inventar:
12804526
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRF7523D1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
FETKY™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
210 pF @ 25 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)
1.25W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
Micro8™
Paket / Koffer
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
95
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRLML6346TRPBF
MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
IPSA70R1K2P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 4.5A TO251-3
IPB80N06S407ATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
