Hersteller Produktnummer:
IRF7475PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF7475PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 12 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
13064211
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Menge
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IRF7475PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Verpackung
Tube
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 8.8A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1590 pF @ 6 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
IRF7475
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
95
Andere Namen
SP001563546
*IRF7475PBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STS6NF20V
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
8427
TEILNUMMER
STS6NF20V-DG
Einheitspreis
0.25
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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