IRF7465TRPBFXTMA1
Hersteller Produktnummer:

IRF7465TRPBFXTMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IRF7465TRPBFXTMA1-DG

Beschreibung:

PLANAR 40<-<100V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 1.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

13269400
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IRF7465TRPBFXTMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 1.14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
330 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
4,000
Andere Namen
448-IRF7465TRPBFXTMA1TR
SP005876284

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99

Alternative Modelle

Teilenummer
IRF7465TRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
19748
TEILNUMMER
IRF7465TRPBF-DG
Einheitspreis
0.28
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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