Hersteller Produktnummer:
IRF7464TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF7464TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 1.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
12805727
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IRF7464TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
730mOhm @ 720mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
280 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
SP001554292
IRF7464TRPBFTR-DG
IRF7464PBFTR
*IRF7464TRPBF
IRF7464PBFDKR
IRF7464TRPBF-DG
IRF7464PBFCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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