Hersteller Produktnummer:
IRF7338PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF7338PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 12V 6.3A, 3A 2W Surface Mount 8-SO
Inventar:
12804266
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Menge
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IRF7338PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.3A, 3A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
640pF @ 9V
Leistung - Max
2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Basis-Produktnummer
IRF733
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
95
Andere Namen
SP001565278
*IRF7338PBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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