Hersteller Produktnummer:
IRF7106
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF7106-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 3A, 2.5A 2W Surface Mount 8-SO
Inventar:
12809945
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Menge
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IRF7106 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A, 2.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
300pF @ 15V
Leistung - Max
2W
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Basis-Produktnummer
IRF71
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
95
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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