Hersteller Produktnummer:
IRF6898MTR1PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF6898MTR1PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 35A (Ta), 213A (Tc) 2.1W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventar:
12803984
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IRF6898MTR1PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
35A (Ta), 213A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.1mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5435 pF @ 13 V
FET-Funktion
Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DIRECTFET™ MX
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric MX
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IRF6898MTR1PBFTR
SP001523898
IRF6898MTR1PBFDKR
IRF6898MTR1PBFCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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