Hersteller Produktnummer:
IRF6892STRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF6892STRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N CH 25V 28A S3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 28A (Ta), 125A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ S3C
Inventar:
12816643
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IRF6892STRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
28A (Ta), 125A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2510 pF @ 13 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DIRECTFET™ S3C
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric S3C
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,800
Andere Namen
SP001532336
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STD35NF06LT4
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
4288
TEILNUMMER
STD35NF06LT4-DG
Einheitspreis
0.54
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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