Hersteller Produktnummer:
IRF6811STR1PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF6811STR1PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 19A (Ta), 74A (Tc) 2.1W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Inventar:
12806785
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IRF6811STR1PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Ta), 74A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 35µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1590 pF @ 13 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta), 32W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DIRECTFET™ SQ
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric SQ
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP001524698
IRF6811STR1PBFCT
IRF6811STR1PBFDKR
IRF6811STR1PBFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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