Hersteller Produktnummer:
IRF6712STR1PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF6712STR1PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 17A (Ta), 68A (Tc) 2.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Inventar:
12803557
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
um2L
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRF6712STR1PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17A (Ta), 68A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.9mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1570 pF @ 13 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.2W (Ta), 36W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DIRECTFET™ SQ
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric SQ
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IRF6712STR1PBF-DG
IRF6712STR1PBFCT
IRF6712STR1PBFTR
IRF6712STR1PBFDKR
SP001530880
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPU80R2K0P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
IPW50R399CPFKSA1
MOSFET N-CH 560V 9A TO247-3
IRFR15N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
