Hersteller Produktnummer:
IRF6668TR1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF6668TR1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 55A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventar:
12804498
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Menge
Mindestens 1
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4enM
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IRF6668TR1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.9V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1320 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DIRECTFET™ MZ
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric MZ
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF6668TRPBF
HERSTELLER
International Rectifier
VERFÜGBARE ANZAHL
59676
TEILNUMMER
IRF6668TRPBF-DG
Einheitspreis
0.86
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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