Hersteller Produktnummer:
IRF6662TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF6662TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 8.3A (Ta), 47A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventar:
12804413
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IRF6662TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.3A (Ta), 47A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 8.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.9V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1360 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DIRECTFET™ MZ
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric MZ
Basis-Produktnummer
IRF6662
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,800
Andere Namen
IRF6662TRPBFCT
IRF6662TRPBFDKR
IRF6662TRPBFTR
SP001576850
2166-IRF6662TRPBF-448
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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