IRF6655TR1PBF
Hersteller Produktnummer:

IRF6655TR1PBF

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IRF6655TR1PBF-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH

Inventar:

12810605
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IRF6655TR1PBF Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.2A (Ta), 19A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
62mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.8V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
530 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DIRECTFET™ SH
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric SH

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP001576858

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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