Hersteller Produktnummer:
IRF6641TR1PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF6641TR1PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventar:
12823387
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRF6641TR1PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.6A (Ta), 26A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
59.9mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.9V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2290 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DIRECTFET™ MZ
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric MZ
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IRF6641TR1PBFDKR
IRF6641TR1PBFTR
SP001563484
IRF6641TR1PBFCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF6641TRPBF
HERSTELLER
International Rectifier
VERFÜGBARE ANZAHL
720
TEILNUMMER
IRF6641TRPBF-DG
Einheitspreis
1.85
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRF7241
MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO
IXFH50N20
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AD
IRF540ZS
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
