Hersteller Produktnummer:
IRF6631TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF6631TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 13A (Ta), 57A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Inventar:
12806468
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRF6631TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13A (Ta), 57A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1450 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DIRECTFET™ SQ
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric SQ
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,800
Andere Namen
SP001528816
IRF6631TRPBFTR
IRF6631TRPBFDKR
IRF6631TRPBFCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SPP21N50C3HKSA1
MOSFET N-CH 560V 21A TO220-3
IRL3402PBF
MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
SPP21N10
MOSFET N-CH 100V 21A TO220-3
