IRF6628TR1PBF
Hersteller Produktnummer:

IRF6628TR1PBF

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IRF6628TR1PBF-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 27A (Ta), 160A (Tc) 2.8W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX

Inventar:

12805943
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IRF6628TR1PBF Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
27A (Ta), 160A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.35V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3770 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 96W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DIRECTFET™ MX
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric MX

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IRF6628TR1PBFCT
IRF6628TR1PBFDKR
IRF6628TR1PBFTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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