Hersteller Produktnummer:
IRF6623TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF6623TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 16A (Ta), 55A (Tc) 1.4W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Inventar:
8615 Stück Neu Original Auf Lager
12806062
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IRF6623TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
16A (Ta), 55A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1360 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.4W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DIRECTFET™ ST
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric ST
Basis-Produktnummer
IRF6623
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,800
Andere Namen
IRF6623TRPBFCT
IRF6623TRPBFTR
SP001526818
IRF6623TRPBFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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