Hersteller Produktnummer:
IRF6616TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF6616TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 19A (Ta), 106A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventar:
12852618
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRF6616TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Ta), 106A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.25V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3765 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DIRECTFET™ MX
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric MX
Basis-Produktnummer
IRF6616
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,800
Andere Namen
SP001525524
IRF6616TRPBF-DG
IRF6616TRPBFCT
IRF6616TRPBFDKR
IRF6616TRPBFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRFR2905ZTRL
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
MGSF1N03LT3
MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
MTD5P06VT4G
MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
