IRF6616TR1PBF
Hersteller Produktnummer:

IRF6616TR1PBF

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IRF6616TR1PBF-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 19A (Ta), 106A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX

Inventar:

12805675
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IRF6616TR1PBF Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Ta), 106A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.25V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3765 pF @ 20 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DIRECTFET™ MX
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric MX

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IRF6616TR1PBF-DG
SP001526896
IRF6616TR1PBFTR
IRF6616TR1PBFDKR
IRF6616TR1PBFCT

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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