Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
DR Kongo
Argentinien
Turkei
Rumänien
Litauen
Norwegen
Österreich
Angola
Slowakei
ltaly
Finnland
Belarus
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Montenegro
Russisch
Belgien
Schweden
Serbien
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Republik Moldau
Deutschland
Niederlande
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankreich
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Portugal
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IRF6609TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF6609TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 31A (Ta), 150A (Tc) 1.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12804682
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRF6609TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
31A (Ta), 150A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 31A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.45V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6290 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DIRECTFET™ MT
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric MT
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IRF6609TRPBF
HTML-Datenblatt
IRF6609TRPBF-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,800
Andere Namen
SP001527932
IRF6609TRPBFTR
IRF6609TRPBFDKR
IRF6609TRPBFCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF6726MTRPBF
HERSTELLER
International Rectifier
VERFÜGBARE ANZAHL
3965
TEILNUMMER
IRF6726MTRPBF-DG
Einheitspreis
1.37
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPP80N06S2L06AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRFR120ZTRL
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
IPD60R380P6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
IPP60R600CPXKSA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3