IRF6607
Hersteller Produktnummer:

IRF6607

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IRF6607-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 94A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT

Inventar:

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IRF6607 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
27A (Ta), 94A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 7V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6930 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.6W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DIRECTFET™ MT
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric MT

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
IRF6607
HTML-Datenblatt
IRF6607-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
4,800
Andere Namen
*IRF6607
IRF6607CT
IRF6607-DG
SP001532212
IRF6607TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
PSMN3R5-30YL,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
7138
TEILNUMMER
PSMN3R5-30YL,115-DG
Einheitspreis
0.40
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
PSMN3R0-30YL,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
42077
TEILNUMMER
PSMN3R0-30YL,115-DG
Einheitspreis
0.42
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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